FDS86106

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

3.4 A

Rds On - 漏源电阻：

83 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

3 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

5 W

配置：

单身的

商品名：

动力战壕

打包：

卷轴

高度：

1.75 mm

长度：

4.9 mm

系列：

FDS86106

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

N 沟道功率沟道 MOSFET

宽度：

3.9 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

6 S

秋季时间：

10 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

15 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns

单位重量：

0.004586 oz

Tags

FDS861, FDS86, FDS8, FDS