TK560P65Y,RQ

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DPAK-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

7 A

Rds On - 漏源电阻：

430 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

14.5 nC

最低工作温度：

-

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

60 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

DTMOSV

打包：

卷轴

系列：

TK560P65Y

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

东芝

秋季时间：

8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

20 ns

出厂包装数量：

2000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

105 ns

典型的开启延迟时间：

50 ns

Tags

TK560P65, TK560P, TK560, TK56, TK5