VND7NV04-E

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Id - 连续漏极电流：

6 A

Rds On - 漏源电阻：

60 mOhms

Qg - 门电荷：

18 nC

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

60 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

管子

系列：

VND7NV04

晶体管类型：

1 N-Channel OMNIFET II Power MOSFET

品牌：

意法半导体

正向跨导 - 最小值：

9 S

秋季时间：

350 ns, 3.6 us

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

470 ns, 4.6 us

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

500 ns, 5.4 us

典型的开启延迟时间：

100 ns, 0.75 us

单位重量：

0.139332 oz

Tags

VND7NV0, VND7NV, VND7N, VND7, VND