TC8220K6-G

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN-12

通道数：

4 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

200 V

Id - 连续漏极电流：

2.3 A

Rds On - 漏源电阻：

6 Ohms, 7 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

配置：

四边形

频道模式：

增强

打包：

卷轴

产品：

MOSFET 小信号

晶体管类型：

2 N-Channel, 2 P-Channel

品牌：

微芯科技

正向跨导 - 最小值：

400 mS, 400 mS

秋季时间：

15 ns, 15 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

15 ns, 15 ns

出厂包装数量：

3300

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

20 ns, 20 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns, 10 ns

单位重量：

0.001460 oz

Tags

TC8220, TC822, TC82, TC8