IRF7601PBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

Micro-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

5.7 A

Rds On - 漏源电阻：

35 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

700 mV

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

14 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

1.8 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

1.11 mm

长度：

3 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

3 mm

品牌：

英飞凌/红外

正向跨导 - 最小值：

6.1 S

秋季时间：

32 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

47 ns

出厂包装数量：

80

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

24 ns

典型的开启延迟时间：

5.1 ns

第 # 部分别名：

SP001551458

Tags

IRF7601, IRF760, IRF76, IRF7, IRF