IPT111N20NFDATMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PG-HSOF-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

200 V

Id - 连续漏极电流：

96 A

Rds On - 漏源电阻：

11.1 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

65 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

375 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

系列：

OptiMOS 快速二极管

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

82 S

秋季时间：

13 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

11 ns

出厂包装数量：

2000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

39 ns

典型的开启延迟时间：

13 ns

第 # 部分别名：

IPT111N20NFD SP001340384

单位重量：

0.002293 oz

Tags

IPT1, IPT