SSM3J35CTC,L3F

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

CST3C-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

250 mA

Rds On - 漏源电阻：

20 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.38 mm

长度：

0.8 mm

系列：

SSM3J35CT

宽度：

0.6 mm

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

10000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.000026 oz

Tags

SSM3J35C, SSM3J35, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM