CXT5551HC TR

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-89-3

晶体管极性：

NPN

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

160 V

集电极-基极电压 VCBO：

180 V

发射极基极电压 VEBO：

6 V

集电极-发射极饱和电压：

0.2 V

增益带宽积 fT：

100 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

CXT5551HC

直流电流增益 hFE 最大值：

250 at 10 mA, 5 V

打包：

卷轴

品牌：

中央半导体

连续集电极电流：

1 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

30 at 50 mA, 5 V

Pd - 功耗：

1.2 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

1000

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

CXT5551HC PBFREE TR

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CXT5551H, CXT555, CXT55, CXT5, CXT