IPG20N04S4L-08

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TDSON-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

20 A

Rds On - 漏源电阻：

7.2 mOhms, 7.2 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V

Vgs - 栅源电压：

16 V

Qg - 门电荷：

39 nC, 39 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

54 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

高度：

1.27 mm

长度：

5.9 mm

系列：

OptiMOS-T2

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

5.15 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

20 ns, 20 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3 ns, 3 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

40 ns, 40 ns

典型的开启延迟时间：

7 ns, 7 ns

第 # 部分别名：

IPG20N04S4L08ATMA1 IPG2N4S4L8XT SP000705576

Tags

IPG20N04S4L-0, IPG20N04S4L, IPG20N04, IPG20N0, IPG20, IPG2, IPG