BSS123NH6327XT

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

190 mA

Rds On - 漏源电阻：

2.4 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

800 mV

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

900 pC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

2.9 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

1.3 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

410 mS

秋季时间：

22 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3.2 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

7.4 ns

典型的开启延迟时间：

2.3 ns

第 # 部分别名：

BSS123N BSS123NH6327XTSA1 H6327 SP000870646

单位重量：

0.000282 oz

Tags

BSS123NH6327X, BSS123NH63, BSS123NH, BSS123N, BSS123, BSS12, BSS1, BSS