NTTFS015P03P8ZTAG

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

WDFN-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

47.6 A

Rds On - 漏源电阻：

9.3 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 3 V

Vgs - 栅源电压：

25 V

Qg - 门电荷：

62.3 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

33.8 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

77 S

秋季时间：

98 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

138 ns

出厂包装数量：

1500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

99 ns

典型的开启延迟时间：

17 ns

Tags

NTTFS01, NTTFS0, NTTFS, NTTF, NTT