2N2857/TR

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

射频双极晶体管

RoHS：

N

晶体管类型：

双极

技术：

硅

晶体管极性：

NPN

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

30

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

15 V

发射极基极电压 VEBO：

3 V

连续集电极电流：

40 mA

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 200 C

配置：

单身的

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-72-4

打包：

卷轴

品牌：

微芯片/Microsemi

最大直流集电极电流：

40 mA

Pd - 功耗：

200 mW

产品类别：

射频双极晶体管

出厂包装数量：

100

子类别：

晶体管

Tags

2N2857, 2N285, 2N28, 2N2