MRF5S19060NR1

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

E

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Vds - 漏源击穿电压：

65 V

获得：

14 dB

输出功率：

12 W

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-270-4

打包：

卷轴

配置：

单身的

高度：

2.64 mm

长度：

17.58 mm

工作频率：

1.93 GHz to 1.99 GHz

系列：

MRF5S19060N

类型：

射频功率MOSFET

宽度：

9.07 mm

品牌：

恩智浦/飞思卡尔

频道模式：

增强

湿气敏感：

是的

Pd - 功耗：

218.8 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

500

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 0.5 V, 15 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

3.5 V

单位重量：

0.058073 oz

Tags

MRF5S19060N, MRF5S1906, MRF5S190, MRF5S19, MRF5S1, MRF5S, MRF5, MRF