IRL100HS121

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PQFN-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

5.1 A

Rds On - 漏源电阻：

34 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

3.7 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

11.5 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

15 S

秋季时间：

10.7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

21 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

8.7 ns

典型的开启延迟时间：

7.6 ns

第 # 部分别名：

SP001592836

Tags

IRL100, IRL10, IRL1, IRL