IXTA1R6N100D2

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

1 kV

Id - 连续漏极电流：

1.6 A

Rds On - 漏源电阻：

10 Ohms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

27 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

100 W

配置：

单身的

打包：

管子

高度：

4.83 mm

长度：

9.65 mm

系列：

IXTA1R6N100

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

耗尽型 MOSFET

宽度：

10.41 mm

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

0.65 S

秋季时间：

41 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

65 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

34 ns

典型的开启延迟时间：

27 ns

单位重量：

0.056438 oz

Tags

IXTA1R6N1, IXTA1R6, IXTA1R, IXTA1, IXTA, IXT