FDD3510H

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-5

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

80 V

Id - 连续漏极电流：

4.3 A

Rds On - 漏源电阻：

80 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

3.1 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

动力战壕

打包：

卷轴

高度：

2.39 mm

长度：

6.73 mm

系列：

FDD3510H

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度：

6.22 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

秋季时间：

2 ns, 5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

2 ns, 3 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

16 ns, 25 ns

典型的开启延迟时间：

7 ns, 6 ns

单位重量：

0.009184 oz

Tags

FDD35, FDD3, FDD