EFC6605R-TR

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

WLCSP-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

10 A

Rds On - 漏源电阻：

13.3 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.3 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

19.8 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.6 W

配置：

双重的

打包：

卷轴

系列：

EFC6605R

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

60800 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

678 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

44400 ns

典型的开启延迟时间：

154 ns

单位重量：

0.002328 oz

Tags

EFC6605, EFC660, EFC6, EFC