SIHA25N60EFL-E3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220FP-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

25 A

Rds On - 漏源电阻：

127 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

50 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

39 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

1.8 mm

长度：

6.5 mm

系列：

SIH

宽度：

3.5 mm

品牌：

威世 / Siliconix

秋季时间：

21 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

39 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

47 ns

典型的开启延迟时间：

25 ns

单位重量：

0.068784 oz

Tags

SIHA2, SIHA, SIH