SH8K1TB1

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOP-8

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

5 A

Rds On - 漏源电阻：

58 mOhms

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

打包：

卷轴

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

3 S

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.030018 oz

Tags

SH8K1T, SH8K1, SH8K, SH8