FQN1N60CBU

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-92-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

300 mA

Rds On - 漏源电阻：

9.3 Ohms

Vgs - 栅源电压：

30 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

大部分

高度：

5.33 mm

长度：

5.2 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

4.19 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

0.75 S

秋季时间：

27 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

21 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

13 ns

典型的开启延迟时间：

7 ns

单位重量：

0.006314 oz

Tags

FQN1N60C, FQN1N6, FQN1, FQN