US6J12TCR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363T-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

12 V

Id - 连续漏极电流：

2 A

Rds On - 漏源电阻：

105 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

300 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

7.6 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

2 P-Channel

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

25 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

80 ns

典型的开启延迟时间：

9 ns

第 # 部分别名：

US6J12

Tags

US6J1, US6J, US6