DMTH6016LPDQ-13

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PowerDI5060-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

33.2 A

Rds On - 漏源电阻：

19 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

17 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

37.5 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

系列：

DMTH6016

品牌：

二极管公司

秋季时间：

7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5.2 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

13 ns

典型的开启延迟时间：

3.4 ns

单位重量：

0.003422 oz

Tags

DMTH6016LP, DMTH6016, DMTH601, DMTH60, DMTH6, DMTH, DMT