MMBTA56LT1G-HFE

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

- 80 V

集电极-基极电压 VCBO：

- 80 V

发射极基极电压 VEBO：

- 4 V

集电极-发射极饱和电压：

- 0.25 V

增益带宽积 fT：

50 MHz

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

MMBTA56L

打包：

卷轴

品牌：

安森美半导体

连续集电极电流：

0.5 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

100

Pd - 功耗：

225 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

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