2N7002ET7G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

310 mA

Rds On - 漏源电阻：

2.5 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

0.81 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

420 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel MOSFET

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

530 mS

秋季时间：

3.6 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

1.2 ns

出厂包装数量：

3500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

4.8 ns

典型的开启延迟时间：

1.7 ns

Tags

2N7002ET, 2N7002E, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7