IPS65R1K0CEAKMA2

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

PG-TO-251-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

7.2 A

Rds On - 漏源电阻：

1 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

15.3 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

68 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

13.6 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5.2 ns

出厂包装数量：

1500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

41 ns

典型的开启延迟时间：

6.6 ns

第 # 部分别名：

IPS65R1K0CE SP001724356

Tags

IPS65R1K0CEA, IPS65R1K0, IPS65R1, IPS65R, IPS65, IPS6, IPS