SSM3K59CTB,L3F

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

CST3B-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

2 A

Rds On - 漏源电阻：

250 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V

Vgs - 栅源电压：

1.8 V

Qg - 门电荷：

1.1 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1000 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.48 mm

长度：

1.2 mm

系列：

SSM3K59

宽度：

0.8 mm

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

10000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

8 ns

典型的开启延迟时间：

13 ns

Tags

SSM3K5, SSM3K, SSM3, SSM