NTMFS4C55NT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-FL-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

21.7 A

Rds On - 漏源电阻：

2.7 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

14 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

33 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

长度：

6 mm

系列：

NTMFS4C55N

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

5 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

68 S

开发套件：

-

秋季时间：

7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

32 ns

出厂包装数量：

1500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

21 ns

典型的开启延迟时间：

11 ns

单位重量：

0.019048 oz

Tags

NTMFS4C5, NTMFS4C, NTMFS4, NTMFS, NTMF, NTM