DMT10H009LH3

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-251-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

84 A

Rds On - 漏源电阻：

9 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

20.2 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

96 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

二极管公司

秋季时间：

14.9 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10.6 ns

出厂包装数量：

75

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

28.3 ns

典型的开启延迟时间：

5.4 ns

Tags

DMT10H009L, DMT10H00, DMT10H0, DMT10, DMT1, DMT