EFC4C012NLTDG

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

WLCSP-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

19 A

Rds On - 漏源电阻：

5 mOhms, 5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

18 nC, 18 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

5.7 us, 5.7 us

产品类别：

MOSFET

上升时间：

2 us, 2 us

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

26 us, 26 us

典型的开启延迟时间：

2.7 us, 2.7 us

Tags

EFC4, EFC