SQ3585EV-T1_GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSOP-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

3.57 A, 2.5 A

Rds On - 漏源电阻：

49 mOhms, 140 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

600 mV, 1.5 V

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

2.5 nC, 3.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

1.67 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

商品名：

沟槽场效应晶体管

打包：

卷轴

系列：

质量

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

10 S, 3 S

秋季时间：

8 ns, 14 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

15 ns, 16 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

22 ns, 29 ns

典型的开启延迟时间：

9 ns, 7 ns

Tags

SQ35, SQ3