CXDM1002N TR

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-89

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

2 A

Rds On - 漏源电阻：

140 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

6 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.2 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.7 mm

长度：

4.7 mm

系列：

连续波分复用

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

2.7 mm

品牌：

中央半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

50 ns

典型的开启延迟时间：

32 ns

第 # 部分别名：

CXDM1002N PBFREE TR

单位重量：

0.004603 oz

Tags

CXDM, CXD