TK9J90E,S1E

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-3P(N)-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

900 V

Id - 连续漏极电流：

9 A

Rds On - 漏源电阻：

1.3 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

46 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

250 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

高度：

20 mm

长度：

15.5 mm

系列：

TK9J90E

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.5 mm

品牌：

东芝

秋季时间：

35 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

40 ns

出厂包装数量：

25

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

140 ns

典型的开启延迟时间：

80 ns

单位重量：

0.245577 oz

Tags

TK9J, TK9