MMRF5014H-500MHZ

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

P-通道

技术：

氮化镓碳化硅

Id - 连续漏极电流：

350 mA

Vds - 漏源击穿电压：

150 V

获得：

18 dB

输出功率：

125 W

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

NI-360H-2SB

工作频率：

1 MHz to 2700 MHz

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

恩智浦/飞思卡尔

通道数：

1 Channel

Pd - 功耗：

232 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

1

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 8 V, 0 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 2.3 V

第 # 部分别名：

935345452598

单位重量：

0.017637 oz

Tags

MMRF5014, MMRF50, MMRF5, MMRF, MMR