APT12M80B

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

800 V

Id - 连续漏极电流：

13 A

Rds On - 漏源电阻：

800 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

80 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

335 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

品牌：

微芯片/Microsemi

正向跨导 - 最小值：

11 S

秋季时间：

18 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

20 ns

出厂包装数量：

1

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

60 ns

典型的开启延迟时间：

14 ns

单位重量：

0.229281 oz

Tags

APT12, APT1, APT