IRF7701TRPBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSSOP-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

12 V

Id - 连续漏极电流：

10 A

Rds On - 漏源电阻：

11 mOhms

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

69 nC

Pd - 功耗：

1.5 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

高度：

1.2 mm

长度：

4.4 mm

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

3 mm

品牌：

英飞凌/红外

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

SP001559976

单位重量：

0.005573 oz

Tags

IRF7701, IRF770, IRF77, IRF7, IRF