APT66M60B2

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

T-MAX-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

70 A

Rds On - 漏源电阻：

75 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

330 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.135 kW

频道模式：

增强

商品名：

POWER MOS 8

打包：

管子

高度：

5.31 mm

长度：

21.46 mm

宽度：

16.26 mm

品牌：

微芯片/Microsemi

正向跨导 - 最小值：

65 S

秋季时间：

70 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

85 ns

出厂包装数量：

1

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

225 ns

典型的开启延迟时间：

75 ns

Tags

APT66M, APT66, APT6, APT