HUF76639S3S

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

51 A

Rds On - 漏源电阻：

23 mOhms

Vgs - 栅源电压：

16 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

180 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

4.83 mm

长度：

10.67 mm

系列：

超场效应晶体管

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

9.65 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

秋季时间：

110 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

55 ns

出厂包装数量：

400

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

151 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns

单位重量：

0.050717 oz

Tags

HUF76639S3, HUF76639S, HUF76639, HUF7663, HUF766, HUF76, HUF7, HUF