SSM6L36FE,LM

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

ES6-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

500 mA, 330 mA

Rds On - 漏源电阻：

460 mOhms, 950 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

350 mV, 1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V, 8 V

Qg - 门电荷：

1.23 nC, 1.2 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.55 mm

长度：

1.6 mm

系列：

SSM6L36

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度：

1.2 mm

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

75 ns, 200 ns

典型的开启延迟时间：

30 ns, 90 ns

Tags

SSM6L36F, SSM6L36, SSM6L3, SSM6L, SSM6, SSM