RS1G120MNTB

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

HSOP-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

12 A

Rds On - 漏源电阻：

20.7 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

9.4 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

25 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

5.8 mm

产品：

MOSFET

晶体管类型：

1 N-channel

类型：

功率MOSFET

宽度：

5 mm

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

4 S

秋季时间：

3.2 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4.3 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

23.8 ns

典型的开启延迟时间：

9.7 ns

第 # 部分别名：

RS1G120MN

单位重量：

0.002490 oz

Tags

RS1G120M, RS1G12, RS1G1, RS1G, RS1