2N5629

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

T

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-3-2

晶体管极性：

NPN

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

100 V

集电极-基极电压 VCBO：

100 V

发射极基极电压 VEBO：

7 V

集电极-发射极饱和电压：

2 V

最大直流集电极电流：

16 A

增益带宽积 fT：

1 MHz

最低工作温度：

- 60 C

最高工作温度：

+ 200 C

系列：

2N5629

打包：

管子

品牌：

中央半导体

连续集电极电流：

0.45 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

4 at 16 A, 2 V

Pd - 功耗：

200 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

20

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

2N5629 TIN/LEAD

单位重量：

0.225789 oz

Tags

2N5629, 2N562, 2N56, 2N5