GA20SICP12-263

产品属性

属性值

制造商：

GeneSiC半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

碳化硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-7

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

1.2 kV

Id - 连续漏极电流：

45 A

Rds On - 漏源电阻：

50 mOhms

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

100 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

282 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

4.597 mm

长度：

10.668 mm

系列：

GA20SICP12

类型：

晶体管/肖特基二极管 Co-Pack

宽度：

9.169 mm

品牌：

GeneSiC半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.056438 oz

Tags

GA20S, GA20, GA2