NVD5890NT4G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

123 A

Rds On - 漏源电阻：

2.9 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

74 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

107 W

配置：

单身的

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

系列：

NVD5890N

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

16.8 S

秋季时间：

7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

55 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

35 ns

典型的开启延迟时间：

14 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

NVD589, NVD58, NVD5, NVD