IXTY1R6N100D2-TRL

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

分立半导体模块

RoHS：

Y

产品：

功率 MOSFET 模块

类型：

耗尽模式

Vgs - 栅源电压：

20 V

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

打包：

卷轴

配置：

单身的

品牌：

IXYS

晶体管极性：

N通道

秋季时间：

41 ns

Id - 连续漏极电流：

1.6 A

Pd - 功耗：

100 W

产品类别：

分立半导体模块

Rds On - 漏源电阻：

10 Ohms

上升时间：

65 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

分立半导体模块

典型关断延迟时间：

34 ns

典型的开启延迟时间：

27 ns

Vds - 漏源击穿电压：

1000 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 4.5 V

Tags

IXTY1R6, IXTY1R, IXTY1, IXTY, IXT