HS8K1TB

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

HSML3030L-10

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

11 A

Rds On - 漏源电阻：

11.8 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

6 nC, 7.4 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

2.9 ns, 3.2 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4.5 ns, 5.2 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

19.2 ns, 19.7 ns

典型的开启延迟时间：

8.2 ns, 8.4 ns

第 # 部分别名：

HS8K1

Tags

HS8K1, HS8K, HS8