NTTD1P02R2

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

Micro-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

1.45 A

Rds On - 漏源电阻：

160 mOhms

Vgs - 栅源电压：

8 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.95 mm

长度：

3 mm

产品：

MOSFET 小信号

晶体管类型：

2 P-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

3 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

2.5 S

秋季时间：

20 ns, 30 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

20 ns, 30 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

30 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns

Tags

NTTD1, NTTD, NTT