IXTH6N100D2

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

1 kV

Id - 连续漏极电流：

6 A

Rds On - 漏源电阻：

2.2 Ohms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

95 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

300 W

打包：

管子

高度：

21.46 mm

长度：

16.26 mm

系列：

IXTH6N100

类型：

耗尽型 MOSFET

宽度：

5.3 mm

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

2.6 S

秋季时间：

47 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

80 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

34 ns

典型的开启延迟时间：

25 ns

单位重量：

0.056438 oz

Tags

IXTH6N1, IXTH6N, IXTH6, IXTH, IXT