IRFB7530PBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

295 A

Rds On - 漏源电阻：

1.65 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3.7 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

274 nC

Pd - 功耗：

375 W

频道模式：

增强

商品名：

强IRFET

打包：

管子

高度：

15.65 mm

长度：

10 mm

宽度：

4.4 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

242 S

秋季时间：

104 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

141 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

172 ns

典型的开启延迟时间：

52 ns

第 # 部分别名：

SP001575524

单位重量：

0.211644 oz

Tags

IRFB753, IRFB75, IRFB7, IRFB, IRF