NX3008CBKV,115

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-666-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

400 mA

Rds On - 漏源电阻：

1 Ohms, 2.8 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

900 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

170 pC, 230 pC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

产品：

MOSFET

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

类型：

沟槽 MOSFET

品牌：

Nexperia

正向跨导 - 最小值：

310 mS, 160 mS

秋季时间：

19 ns, 38 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

30 ns, 11 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

69 ns, 65 ns

典型的开启延迟时间：

15 ns, 19 ns

Tags

NX3008CBKV, NX3008C, NX3008, NX300, NX30, NX3