NVTP2955G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

12 A

Rds On - 漏源电阻：

156 mOhms

Qg - 门电荷：

14 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

62.5 W

配置：

单身的

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

6 S

秋季时间：

85 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

80 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

47 ns

典型的开启延迟时间：

20 ns

单位重量：

0.211644 oz

Tags

NVT