BSS138K

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

50 V

Id - 连续漏极电流：

220 mA

Rds On - 漏源电阻：

2.5 Ohms

Qg - 门电荷：

2.4 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

350 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.2 mm

长度：

2.9 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

BSS138K

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

宽度：

1.3 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

200 mS

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

60 ns

典型的开启延迟时间：

5 ns

单位重量：

0.000282 oz

Tags

BSS138K, BSS138, BSS13, BSS1, BSS